Sensor-Element:InGaAs
Wellenlängenbereich:850 | 1700 Nanometer
Leistungsbereich:+ 5 | -80dBm
Gewicht:2Kg
Maße:235 Millimeter W, 55 Millimeter H, 320 Millimeter D
Nacheichungs-Zeitraum:2 Jahre
Zahl von Kanälen:4
Wellenlängenbereich:850 | 1700 Nanometer
Leistungsbereich:+10 | -70dBm/+25 | -55dBm
Leistungsbereich (dBm):+25 | -60dBm
Form:Nacktes PD
Sensor-Element:InGaAs